Компании совместно займутся разработкой и производством передовых силовых устройств на основе нитрида галлия (GaN), начиная с напряжения 650 В. Разработчики будут использовать 200-мм технологию GF eMode на основе GaN-on-Silicon в сочетании с передовыми кремниевыми драйверами от onsemi.

Вместе с экспертами «ЗУМ-СМД» рассмотрим проект, который планируют запустить GlobalFoundries и onsemi для центров обработки данных ИИ, в автомобильной, промышленной, аэрокосмической, оборонной отраслях, а также в системах безопасности.

Нитрид галлия стал драйвером инноваций в электронике нового поколения

В сфере современной микроэлектроники нитрид галлия (GaN) признан одним из наиболее эффективных материалов, имеющим высокий потенциал для развития силовой электроники. В сравнении с традиционными кремниевыми аналогами, устройства на основе GaN демонстрируют:

• превосходство по скорости коммутации;

• минимизацию энергетических потерь;

• уменьшенные габариты электронных компонентов.

Эти и другие характеристики делают их крайне востребованными для применения в системах с повышенными нагрузками, где критически важны показатели энергоэффективности и теплоотвода.

Электронные компоненты с номинальным напряжением до 650 В являются неотъемлемой частью современных систем электропитания. Они находят широкое применение:

• в серверах;
• для центров обработки данных;
• при создании зарядных станций для электромобилей;
• в бытовых и промышленных инверторах, преобразователях энергии.

Ускоренное развитие ИИ, а также повсеместная электрификация транспорта стимулируют экспоненциальный рост потребности в данных устройствах.

Положительные стороны сотрудничества

Партнерство с компанией GlobalFoundries, использующей передовой процесс GaN, в сочетании с разработками onsemi в области систем и продуктов, открывает двери для создания инновационных силовых устройств, работающих при напряжении до 650 В.

Новые разработки на базе GaN в сочетании с Si-драйверами и контроллерами позволят партнерам создавать миниатюрные и высокопроизводительные блоки питания для бурно растущих сегментов: дата-центров с ИИ, электромобилей и космической отрасли.

Поставки пробных образцов намечены на первую половину 2026 года, после чего запустят серийное производство. Об этом сообщил Динеш Раманатан, старший вице-президент по корпоративной стратегии onsemi.

Для достижения беспрецедентной плотности мощности и эффективности, разработчики от onsemi, объединят свои кремниевые драйверы (лидирующие сейчас на рынке), контроллеры и термостойкие корпуса с инновационной технологической платформой GaN GF 650 В. Результатом станут оптимизированные GaN-устройства, критически важные для питания центров обработки данных ИИ. Это источники питания и конвертеры постоянного тока, а также системы для повышения производительности электромобилей и бортовых зарядных устройств, например, DC/DC-преобразователи.