Чипы смартфонов станут холоднее и мощнее благодаря новому открытию учёных из MIT

Нитрид галлия способен работать на высоких частотах и выдерживать значительные нагрузки, но его массовое применение сдерживалось из-за несовместимости с традиционными производственными процессами. Новый метод решает эту проблему: миниатюрные GaN-транзисторы соединяются с кремниевыми чипами с помощью низкотемпературной медной пайки. Это упрощает производство, повышает эффективность отвода тепла и сохраняет свойства обоих материалов.

Прототип усилителя мощности, созданный с использованием этой технологии, уже продемонстрировал более высокий уровень энергоэффективности и усиления сигнала.

Разработка может найти применение в смартфонах, устройствах 5G и даже в квантовых компьютерах. Её главное преимущество — масштабируемость и совместимость с существующими производственными линиями, что открывает путь к быстрой коммерциализации.